消息称长江存储出货第五代3D TLC闪存：总层数达294层

快科技 2 月 2 日消息，据国外媒体报道称，长江存储目前已开始出货第五代 3D TLC NAND 闪存（闪存中使用了 Xtacking 4.0 架构），共有 294 层，以及 232 个有源层。

报道中提到，长江存储已经在新的闪存上追赶上韩国、美国等头部存储企业。

具体来说，长江存储第五代 3D TLC NAND 闪存的位密度据称超过了 20Gb/mm（利用混合键合技术将闪存阵列与 CMOS 逻辑和接口连接起来，以最大限度地提高存储密度和 I/O 性能），略低于铠侠和西部数据 BiCS8 QLC NAND 闪存的 22.9Gb/mm，但整体表现已经非常厉害了。

按照行业人士的说法，目前长江存储已成功将其闪存密度提高到行业相同的水平，该公司现已成为全球 NAND 市场的有力竞争者。